搜索结果: 1-15 共查到“理学 压强”相关记录31条 . 查询时间(0.125 秒)
华南理工大学热学课件 气体温度、压强、能均分定理、内能、自由程。
电子科技大学中山学院大学物理课件第09章气体动理论 9-1理想气体的压强和温度。
成都理工大学工程技术学院大学物理课件 12-3理想气体压强公式。
重庆理工大学热学课件 分子动理论1(压强和温度能均分速率分布)。
成都理工大学信息科学与技术学院大学物理II课件第七章第二节 理想气体的压强公式。
湖北大学大学物理课件第十二章第三节 理想气体压强公式。
山西农业大学大学物理学课件第4-2章 气体动理论的压强公式
山西农业大学 大学物理学 课件 第4-2章 气体动理论的压强公式
2013/8/20
山西农业大学大学物理学课件第4-2章 气体动理论的压强公式。
用等效体积法计算真实气体压强
真实气体 状态方程 等效体积 Lennard-Jones势函数
2015/6/3
本文用能量因子将不同密度下的气体的体积微分等效到平均密度下的体积,求和得到有效体积的大小,根据有效体积再计算气体压强。结合实际气体的相互作用模型,运用级数方法,得到气体压强的公式。
吉帕压强区金属固—液相线研究(图)
吉帕压强区 金属固—液相线 研究 高压熔化线
2012/4/25
针对钼、钽两种过渡金属目前在高压熔化线研究结果中存在的巨大差别,特别是动、静高压熔化线测量数据间还难以进行合理连结的问题,本项目主要采用近年发展的新的动高压技术,在P≤400 GPa 的压强区内,补充测量熔化温度数据。其目的是判断动、静高压两种测量数据之间是否存在系统偏差的问题,故实验压强点应设计在P≤100 GPa 区内;同时在100~400 GPa 压强区内补充测量不少于3个压强点的熔化温度数...
压强对低频PECVD制备SiNx:H薄膜特性的影响
氮化硅薄膜 压强 钝化 结构特性
2012/4/5
氢化氮化硅薄膜在晶体硅太阳电池工艺中是一种有效的减反射、钝化薄膜.利用Centrotherm公司的直接法低频PECVD设备在抛光后的p型硅衬底(1.0 Ωcm)表面制作氢化氮化硅,得到了具有较好钝化效果且折射率为2.017~2.082的薄膜.随着压强的增加,薄膜的折射率略有增加.利用傅里叶变换红外光谱技术研究了薄膜中成键结构特性随压强的变化.结果表明沉积压强强烈的影响了H键的浓度和Si-N键的浓度...
采用磁控溅射法在镍衬底上制备了不同性质的Fe:NiOx薄膜, 通过改变反应压强, 发现薄膜的催化活性随着压强的增大而提高. 进一步利用EDX、XRD、XPS、SEM等分析发现, 薄膜的有效表面积、结晶度以及样品中Ni3+的含量都对样品的催化活性有影响. 另外对薄膜的透过特性也进行了研究, 发现当膜厚超过1000 nm后, 对波长小于500 nm的可见光几乎全部吸收, 表现出了很差的透光特性.