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中国科学院深圳先进技术研究院专利：CdTe/ZnSe量子点的制备方法
2022年12月19日，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在ZnSe薄膜非线性光学极化率的波长依赖性研究方面取得进展。相关成果以“Wavelength dependence of nonlinear optical susceptibility of ZnSe nanocrystalline film”为题发表在Optical Materials上。
利用"时-空耦合策略"在金黄色葡萄球菌内制得ZnSe量子点，从而将金黄色葡萄球菌转变成为荧光细胞.采用透射电子显微镜（TEM）、原子力显微镜（AFM）、动态光散射（DLS）、紫外-可见吸收光谱和荧光发射光谱等对从细胞内提取出的ZnSe量子点进行了表征.结果表明，提取出的ZnSe量子点粒径均一、分散性好，平均粒径为（2.96±0.76） nm，具有良好的荧光性质，最大荧光发射波长为537 nm.
Ag:InP/ZnSe纳米晶的合成与生物成像
Ag:InP/ZnSe 纳米晶 近红外荧光 生物成像
2019/1/22
采用高温热注入法，以P[N（CH3）2]3为磷源合成了具有近红外荧光的Ag：InP/ZnSe纳米晶.采用紫外-可见-近红外吸收光谱（UV-Vis-NIR）、荧光光谱、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）等对产物的结构和光学性质进行了表征，并分析了Ag掺杂浓度和温度对InP纳米晶荧光性能的影响.通过调节Ag掺杂浓度和反应温度，发现当Ag掺杂量为6%，反应温度为200℃时，Ag：InP纳米晶...
退火温度对聚对苯乙炔MOPPV-ZnSe量子点复合材料太阳电池性能影响
量子点 复合材料 退火温度 转换效率
2013/11/30
利用原位缩合法制备了聚(2-甲氧基-5辛氧基)对苯乙炔(MOPPV)-ZnSe量子点复合材料,通过对复合材料的X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等研究,发现聚合物MOPPV与ZnSe量子点以包覆形式有效地复合在一起,复合材料中ZnSe量子点结晶性良好,尺寸约为4 nm;且两者之间发生光诱导电荷转移,复合材料随着退火温度的升高,其吸收光谱范围发生红移。通过对MOPPV-Zn...
将CdSe/ZnSe/ZnS量子点掺入到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,研究了量子点的发光下转移特性。将420 nm长波滤光片盖在单晶电池上,使电池对300~420 nm波段光谱响应几乎为零,同时排除下转移层抗反射效应的影响,再在滤光片表面制备下转移层,观察到了外量子效率(EQE)值的提升,说明所用量子点可以应用于对300~420 nm波段光谱响应几乎为零的电池上实现频率的下转移,提高EQE。对量...
将CdSe/ZnSe/ZnS量子点掺入到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,研究了量子点的发光下转移特性。将420 nm长波滤光片盖在单晶电池上,使电池对300~420 nm波段光谱响应几乎为零,同时排除下转移层抗反射效应的影响,再在滤光片表面制备下转移层,观察到了外量子效率(EQE)值的提升,说明所用量子点可以应用于对300~420 nm波段光谱响应几乎为零的电池上实现频率的下转移,提高EQE。对量...
ZnSe∶Cu/CdS核壳量子点的合成及光学性能研究
量子点 ZnSe∶Cu ZnSe∶Cu/CdS 核壳结构
2013/9/28
以CdS为壳层材料对核水溶性ZnSe:Cu量子点进行包覆,得到ZnSe:Cu/CdS核壳结构的量子点。 研究了壳层厚度对ZnSe:Cu量子点光学性能的影响,采用TEM、XRD、PL和UV-Vis手段对所得样品进行表征。 实验结果表明:量子点为立方闪锌矿结构,分散性好,形状为球形,经壳层修饰后量子点的粒径由2.7 nm增大到4.0 nm。 随着包覆CdS壳层数的增加,量子点的发射和紫外吸收谱红移,说...
Photon Antibunching and Magnetospectroscopy of a Single Fluorine Donor in ZnSe
Photon Antibunching Magnetospectroscopy Single Fluorine Donor ZnSe
2010/10/19
We report on the optical investigation of single electron spins bound touorine donor impurities in ZnSe.Measurements of photon antibunching establish the presence of single, isolated optical emitters,...
不同形貌ZnSe的制备及光电化学性能
水热法 ZnSe纳米棒 ZnSe微球 光电化学
2009/11/13
采用水热法制备了ZnSe纳米棒和微球, 用XRD, TGA-DTA和SEM等技术对其进行了表征, 提出了解释ZnSe微球的形成新机理. 研究结果表明, 纳米棒直径为50~100 nm, 棒长约为200~300 nm, ZnSe微球直径为3~10 μm.; 纳米棒在反应温度为240 ℃时具有闪锌矿和纤维锌矿型混晶结构, 微球在反应温度为210 ℃时具有闪锌矿结构; 将ZnSe纳米棒和微球均匀地涂在导...
胶体水相法制备高量子产率及高稳定性的水溶性ZnSe量子点
ZnSe量子点 荧光光谱 量子产率
2010/5/4
采用简便的胶体水相法制备了高荧光强度且稳定性良好的ZnSe量子点(ZnSe QDs)，克服了以往水相合成法稳定性差、量子产率低等缺陷。优化后的最佳合成条件为：以还原型L-谷胱甘肽作为稳定剂，L-谷胱甘肽∶Se2-∶Zn2+摩尔比为5∶1∶5，介质pH 10.5，反应温度在90～100 ℃之间。且合成后不需要采取任何光照后处理，ZnSe QDs的量子产率(QYs) 即可高达50.1%，放置3个月后荧...
采用油水两相溶液体系，借助于双亲聚合物包覆实现了CdSe/ZnSe核壳结构量子点自油相到水相的相转移。油水两相中的聚合物包覆与已经报道的均相溶液中聚合物包覆量子点的方法不同，包覆过程在油水两相界面处完成，有效地减少了聚合物缠绕引起的量子点团聚，实现了聚合物对量子点的无团聚单分散包覆。透射电镜和激光粒度分析仪对聚合物包覆量子点的表征结果表明获得的水溶性量子点具有良好的分散性，均一的水力尺寸。吸收和发...
调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子
光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱
2008/11/28
报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2—5 K)条件下的光致发光(PL)，光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果. 观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光. PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献，非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是...
对采用溶胶凝胶法制备的ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱性质进行了测试分析.UV-Vis透射光谱中观察到光吸收边相对于体相半导体有明显蓝移.稳态发射光谱(PL)中观察到ZnSe纳米晶体的位于蓝区的基本呈高斯分布的弱的最低激子发射峰、强而宽的表面态发光带以及对应杂质能级的三个锐峰发光.时间分辨荧光光谱(TRPL)中观察到发光效率高的最低激子发射峰,并测量其荧光衰减寿命,经尾部拟合为28.5 p...