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搜索结果:
1-1
共查到
“
金属物理学 SiC
”
相关记录1条 . 查询时间(0.155 秒)
石墨烯过渡层对金属/
SiC
接触肖特基势垒调控的第一性原理研究
SiC
石墨烯
肖特基势垒
第一性原理计算
2022/3/31
由于
SiC
禁带宽度大,在金属/
SiC
接触界面难以形成较低的势垒,制备良好的欧姆接触是目前
SiC
器件研制中的关键技术难题,因此,研究如何降低金属/
SiC
接触界面的肖特基势垒高度(SBH)非常重要。本文基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,结合平均静电势和局域态密度计算方法,研究了石墨烯作为过渡层对不同金属(Ag,Ti,Cu,Pd,Ni,Pt)/
SiC
接触的SBH的影响。计算结果表明,单层石墨烯...
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