搜索结果: 1-8 共查到“光学工程 MOCVD”相关记录8条 . 查询时间(0.015 秒)
不同氧气分压下的MOCVD法氧化锌薄膜生长
氧化锌 薄膜 MOCVD
2014/3/27
采用金属有机化学气相沉积方法,在不同氧气分压下,对硅衬底氧化锌薄膜材料生长做了研究。X-射线衍射方法对氧化锌薄膜的结晶质量做了比对测试。测试结果表明薄膜是沿着(002)方向生长。利用光荧光谱测试分析,对薄膜的发光特性做了研究,研究发现随着氧气分压增大,薄膜的紫外发光峰增强。通过原子力显微镜测试,对薄膜的表面形貌做了观察,发现结晶颗粒的平均粗糙度、均方根,以及平均直径随着氧气分压的增大呈现逐渐变小的...
MOCVD反应器中流场和热场的数值研究
晶体外延生长 MOCVD反应器 输运过程 热流场
2013/9/16
利用二维动力学模型, 通过变化MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) 反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数, 计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化, 描述了输运过程中产生的多种流动现象, 并给出了相应的分析与说明. 在此基础上, 通过微扰反应器的进气量, 计算并图形化了质量输运过程的瞬态行为, 分析了...
低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响
超晶格 界面层 表面形貌
2009/9/17
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备，在（100）面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征，获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料，在77 K下得到光致发光谱峰值波长为3.25 μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响，得出生长温度在500 ℃~520 ...
利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法，在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、x射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮，室温载流子浓度为1．9×10 cm 和迁移率为6 214 cm ／V-s的InAs0.9Sb0.1。在室温Raman光谱中观察到InAs0....
Growth, structure and thermal reduction of MOCVD-deposited Fe films on Al2O3 (0001) substrates
Low-pressure metal-organic chemical vapor deposition Magnetic properties Thermal reduction
2011/12/8
Fe films with strong preferred orientation were prepared on Al2O3 (0 0 0 1) substrates by a new two-step method using low-pressure metal-organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) method. X-ray diff...
专著信息
书名
应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用
语种
中文
撰写或编译
作者
俞波,盖红星,韩军,邓军,邢艳辉,李建军,廉鹏,邹德恕,沈光地
第一作者单位
出版社
量子电子学报, 22(1), 81, 2005
出版地
出版日期
2005年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
新型可调谐高效多源纵向光耦合垂直腔面发射激光器...
MOCVD原位监测垂直腔面发射激光器材料生长
2007/7/28
专著信息
书名
MOCVD原位监测垂直腔面发射激光器材料生长
语种
中文
撰写或编译
作者
邓军,李建军,廉鹏,韩军,渠红伟,董立闽,郭霞,沈光地
第一作者单位
出版社
光电子芳す? 15(7), 827, 2004
出版地
出版日期
2004年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
新型可调谐高效多源纵向光耦合垂直腔面发射激光器研制
Effect of In content of the buffer layer on crystalline quality and electrical property of In0.82Ga0.18As/InP grown by LP-MOCVD
In0.82Ga0.18As Buffer layer MOCVD
2011/12/15
The In0.82Ga0.18As grown on InP (1 0 0) substrates by low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) with twostep growth method was investigated. It was analyzed that the effect of In ...