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搜索结果: 1-15 共查到电子电路相关记录2536条 . 查询时间(2.222 秒)
2024年10月17日前,中国科大郭光灿院士团队固态量子计算研究组郭国平教授与微电子学院iGaN实验室孙海定教授合作,开发并优化了一套人工神经网络算法并应用于射频功率器件及其电路的设计与实验验证,并在超宽温域范围获得器件级和电路级的高精度建模。团队提出了基于人工神经网络(Artificial Neural Network, ANN)算法的氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在宽温域...
隋传国,男,汉族,1955年11月出生,辽宁省丹东市人,学士学位,教授职称,2019年入职培正学院。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所(以下简称上海微系统所)狄增峰研究员团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展。2024年8月7日,相关成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》(Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors)为题,发表于国际学术期刊...
2024年7月18日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、雷宇研究团队,在三维相变存储器(3D PCM)亚阈值读取电路、高可靠编程电路、模型方面取得了系列进展,成果发表在国际学术期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers等。
近日,南方科技大学深港微电子学院陈凯教授课题组在用于量子计算数据测量与控制的低温CMOS器件的阈值电压建模领域取得重要进展,相关成果以论文“Characterizations and Framework Modeling of Bulk MOSFET Threshold Voltage Based on a Physical Charge-Based Model Down to 4 K”[1]被国...
2024年月19日至22日,第54届IEEE可信系统与网络国际会议(DSN'24)在澳大利亚布里斯班市的铂尔曼酒店举办。该会议是IEEE容错技术委员会(TCFT)的旗舰会议,也是电子系统的可靠性与安全性的重要国际会议,至今已举办54届。本次大会的共同主席是澳大利亚昆士兰大学的高瑞恩教授(原昆士兰大学副校长)和金丹东成副教授。我院闫爱斌教授应邀参会并做报告。
神经形态计算因其在AI和大数据分析中的巨大应用潜力, 在全球范围内引起了广泛关注。为克服传统CMOS晶体管技术局限,科研人员长期致力于探索基于新型非易失性存储器(NVMs)和自旋电子器件的硬件实现方案。目前,已有多种类型的NVMs被用于实现神经网络中各种运算并显示出广阔前景,其中自旋电子器件凭借自身丰富和可控的自旋动力学特性, 被认为是实现模拟突触和神经元功能的理想候选之一。
李汉,男,海南省儋州人,副教授。1992年在武汉水运I程学院毕业,工业电气自动化专业,获学士学位,2003年大连海事大学研究生,轮机工程专业,获工学硕士学位。
传统计算系统,从材料、器件到电路、架构再到容错系统和算法设计,都在竭力避免随机性。然而,随着后摩尔时代的来临以及学界对非冯诺依曼架构兴趣的提升,人们越来越倾向于在计算架构中拥抱随机性而非本能地排斥之,特别是在天然具有随机性特征的计算中,如蒙特卡罗抽样、贝叶斯神经网络、贝叶斯推理网络、模拟/量子退火算法加速器,乃至新兴的生成式人工智能等等。
2024年1月25日上午10点,微电子学院在翡翠湖校区翡翠科教楼A座1712会议室召开教学研讨会,针对《电路分析基础》课程展开专题研讨。党委书记刘梅、党委副书记兼纪委书记张发宇、副院长黄正峰、教学秘书宣晓峰、电科系副主任于永强、集电系闫爱斌以及《电路分析基础》课程组老师冯建国、刘光柱和杨小平参与此次座谈会。
本实用新型涉及一种多波长的紫外发光二极管阵列的刑侦光源,由多波长的紫外发光二极管阵列构成的刑侦光源,其中相同波长的紫外发光二极管阵列由一个电路控制,不同波长的紫外发光二极管阵列由各自不同的电路控制。本实用新型设计的装置体积小、结构紧凑、便携,适合于刑侦现场荧光物质的搜索和辅助取证。
侯小超,博士、中南大学 特聘副教授、硕士生导师。2014、2017和2020年在中南大学分获自动化学士、控制科学与工程硕士和博士学位(团队导师:孙尧、粟梅、韩华),2018至2019年于新加坡南洋理工大学公派访学一年(合作导师:张欣、王鹏),研究生期间获湖南省优博学位论文和湖南省优硕论文,荣获湖南省百佳大学生优秀党员。2020年7月-2022年12月,在清华大学从事电气工程博士后研究(合作导师:孙...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法,该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关,总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合,准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法,采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法,建立了完整的模拟电路SET表征方法,采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性,而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
一种用于多路分段离子阱的射频直流耦合驱动电路,包括射频输入(1)、直流耦合输入(2)、电感L1和电容C1组成的滤波部分(3)和合成波形耦合输出(4);其工作原理为:射频高压信号经过射频输入(1)传输高频交流信号,直流电压信号通过直流耦合输入(2)传输信号,再经由合成波形耦合输出(4)叠加这两种不同波形得到合成电压信号;其中电感L1和电容C1组成的滤波部分(3)组成滤波电路阻止射频输入(1)的高压射...

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