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美国柏恩Bourns推出最新的AEC-Q200认证汽车级电池管理系统(BMS)变压器。BournsSM91872AL单通道加强隔离变压器,采用全自动过模工艺制造,为能源存储系统和电动汽车(EV)的BMS信号应用提供经济高效且高质量的解决方案。
美国柏恩Bourns推出业内首款240V/1kA双向功率TVS(PTVS)二极管,该产品在表面贴装封装中提供了最高的功率密度,再次展现其在创新和技术领域的领导地位。BournsPTVS1-240C-M PTVS二极管采用先进的硅工艺技术,具有极高的电压处理能力,加上二极管的表面贴装封装,使得这一瞬态电压保护器脱颖而出,独树一帜。
TDK株式会社(东京证券交易所代码:6762)推出爱普科斯 (EPCOS) B32377G系列新型三相交流滤波电容器。新系列元件采用三角形连接,填充物也不同于现有系列中的软聚氨酯树脂,而是不可燃的氮气。新电容器顺应了移动出行电气化和可再生能源发展的大趋势,可在逆变器的输入和/或输出端抑制谐波失真并减少无功功率,从而提高电能质量,并 增强风能、太阳能和工业驱动等应用的可靠性。
2024年9月19日,株式会社村田制作所在全球率先开发出了超小的006003-inch(0.16mmx0.08mm)多层陶瓷电容器。与现有的超小产品008004-inch(0.25mmx0.125mm)相比,体积缩小了约75%。该产品用于面向小型移动设备的各种模块和可穿戴设备,预计将于2024年末开始提供样品。
ROHM(总部位于日本京都市)针对内置测距和空间识别用LiDAR*1的车载ADAS(高级驾驶辅助系统)等目标应用,开发出一款高输出功率半导体激光二极管“RLD8BQAB3”。将先向无人机、扫地机器人、AGV(无人搬运车)和服务机器人等消费电子和工业设备领域用户提供新产品样品。
2024年9月11日,全球碳化硅(SiC)技术引领者Wolfspeed,Inc.(NYSE:WOLF)于近日宣布推出最新2300 V无基板碳化硅模块。这一碳化硅解决方案经过优化设计,可带来效率、耐用性、可靠性、可扩展性的提升,将助力推动可再生能源、储能、高容量快速充电等领域的变革。这款2300 V无基板碳化硅模块针对1500 V直流母线应用开发,并采用了Wolfspeed前沿领先的200 mm碳化...
2024年8月23日,英国克林顿滨海郡:高性能舌簧继电器的领导制造商Pickering Electronics将在2024年中国国际汽车测试博览会上展示其全面的高压(HV)舌簧继电器产品线,包括新推出的表面贴装型Series 219 reed继电器和单列直插式Series 104 reed继电器的5kV版本。
Infinera在第三季度对其可插拔业务进行了一系列重大更新。这些里程碑包括该公司400G ICE-X可插拔插头的CFP2和QSFP-DD版本的商业可用性。
近日,华南理工大学微电子学院两名研究生的毫米波芯片研究成果论文《A 52-to-73GHz Tri-Coupled Transformer Based Noise Self-Canceling and Gm-Boosting LNA with 3.78dB NF and 22.4dB Gain in 40nm CMOS》《A 52-67 GHz Ultra-Compact Bi-direction...
Whether you are a new employee, a gymnast, or a bendy straw manufacturer, one trait is ideal across the board: flexibility.
2023年3月,电子与信息工程学院(微电子学院)李显博副教授课题组与香港科技大学电子与计算机工程系俞捷教授合作,在高速光接收芯片研究方面取得重要进展,相关成果以《双光电二极管差分接收机实现千兆每秒光无线通信双光电探测区》为题,发表于芯片设计领域国际顶级学术期刊IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC,DOI:10.1109/JSSC.2023.32479...
据外媒,2023年3月2日,苹果公司宣布将再斥资10亿欧元,扩大德国南部慕尼黑的微芯片设计中心阵容。据悉,这是苹果继2021年宣布投资10亿欧元,将慕尼黑打造为苹果“硅设计中心”欧洲总部后的新投资,将在未来6年分批投入。
近日,紫光展锐系统级安全的高性能5G芯片T820,正式通过跨国运营商沃达丰集团的认证,可在沃达丰集团的5G、4G、3G网络上稳定、流畅运行,这是紫光展锐5G芯片出海、为全球移动用户提供5G服务的重要里程碑。
波兰弗罗茨瓦夫科技大学正在建造拥有光透射电子显微镜的实验室。光透射电子显微镜(LightTEM)将使光动力疗法或光催化发展相关研究成为可能。
俄罗斯南联邦大学科研人员发现钴、铁和镍的非典型复杂化合物可能表现出单离子磁体的特性。这将有助于采用此种物质制造用于存储信息的超高密度高效电子元件基础设备,其容量是现代设备的一千倍。

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