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三菱电机开始提供用于800Gbps和1.6Tbps光纤通信的200Gbps PIN-PD芯片样品
三菱 电机 光纤通信 芯片
2024/10/14
三菱电机集团近日宣布，将从2024年10月1日起开始提供用于下一代光收发器的新型200Gbps PIN光电二极管（PD）芯片样品，以支持800Gbps和1.6Tbps光纤通信。三菱电机的光学设备阵容中增加了新的接收器芯片，将使传输速度为800Gbps/1.6Tbps的现有设备能够以相同的速度接收新的光数据，从而扩大光收发器的通信容量，从而有助于提高数据中心内的通信速度和容量。
Discovery半导体公司推出扩展InGaAs PD和光电接收器
Discovery 半导体 InGaAs PD 光电接收器
2024/10/15
近期，光学接收器、测试仪器和子系统的领先供应商Discovery半导体公司（Discovery Semiconductors Inc.）推出了几种使用其扩展InGaAs光电二极管技术的新产品，用于各种空间应用。这些器件有多种配置：单光电二极管、平衡光电二极管和放大光接收器，采用不同的封装，例如具有K或SMA连接器的光纤耦合蝶形模块，没有同轴连接器的光纤耦合表面贴装技术(SMT)模块，以及具有宽抗反...
一种Pd-Ag/C催化剂的制备方法，其中Pd的质量分数为1-30％，Ag的质量不大于Pd含量的25％。该催化剂采用浸渍还原法获得，其制备包括：(1)碳载体的分散、(2)浸渍液的配制和(3)Pd-Ag/C催化剂的制备三个步骤。该催化剂制备过程不需要加保护剂调控催化剂粒径及合金度，碱性介质中对小分子醇氧化的催化活性高，稳定性好，制备过程无毒无污染，可放大生产，可用作碱性介质中小分子醇的电化学氧化催化剂...
一种Pd-Ag/C催化剂的制备方法，其中Pd的质量分数为1-30％，Ag的质量不大于Pd含量的25％。该催化剂采用浸渍还原法获得，其制备包括：(1)碳载体的分散、(2)浸渍液的配制和(3)Pd-Ag/C催化剂的制备三个步骤。该催化剂制备过程不需要加保护剂调控催化剂粒径及合金度，碱性介质中对小分子醇氧化的催化活性高，稳定性好，制备过程无毒无污染，可放大生产，可用作碱性介质中小分子醇的电化学氧化催化剂...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种负载型Pd催化剂及其应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 负载型 Pd 催化剂
2024/1/18
本发明涉及一种负载型Pd催化剂及制法和在胺类化合物消旋化及动态动力学拆分中的应用。该负载型Pd催化剂应用于(S)-1-苯乙胺的消旋化反应时，表现出高的催化活性和大于97%的产物选择性。这种Pd催化剂应用于1-苯乙胺的动态动力学拆分时，目标酰胺的收率可达到95%以上。本发明大大拓展了胺类化合物消旋化和动态动力学拆分的催化剂应用范围。该催化剂制备方法简单、环境友好、应用范围广。
本发明涉及一种在对苯二甲酸加氢精制反应中具有高活性的Pd/C-SiC催化剂及其制备与应用。本发明以高强度大孔碳化硅为载体，表面生成碳层并经过二氧化碳活化及氮原子掺杂改性后分散Pd催化剂，从而大大提高了催化活性，而且高强度碳化硅载体作为硬骨架，可避免了碳载体反应过程中破碎等问题，提高催化剂寿命，在对苯二甲酸加氢精制反应中有潜在工业应用价值。
本发明涉及一种在对苯二甲酸加氢精制反应中具有高活性的Pd/TiO2-C-SiC催化剂及其制备与应用。主要解决现存的对苯二甲酸加氢精制反应中，由于活性炭载体易破碎以及质量差别大，所造成的钯催化剂质量不稳定的问题。本发明以高强度大孔碳化硅为载体，通过表面炭化并用二氧化钛改性，以增大钯金属分散度，从而大大提高了催化活性。另外，高强度碳化硅载体的使用，也很好的避免了碳载体破碎造成的反应压降增大的问题，可用...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：Pd基复合纳米粒子及其制备方法
本发明涉及一种Pt-Pd合金型催化剂的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）将作为还原剂和保护剂的聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物溶解在去离子水中，得到共聚物溶液；（2）将铂盐溶液和钯盐溶液加入到上述步骤（1）中得到的共聚物溶液中，在搅拌下反应，反应结束后，将反应体系冷却至室温，得到Pt-Pd合金纳米粒子溶胶；以及（3）将导电性载体加入到上述步骤（2）中得到的Pt-Pd合金纳米粒子溶胶中，搅拌使得Pt-...
我国科学家发现PD-L1蛋白调节因子
PD-L1 蛋白质 调节因子
2024/1/16
PD-L1是目前临床上应用最广泛的肿瘤免疫治疗生物标志物之一。靶向PD-1/PD-L1免疫检查点具有广谱抗肿瘤效果，但并非所有患者都能响应抗PD-1/PD-L1免疫疗法，且部分患者在免疫治疗后发生获得性耐药。已有研究表明，PD-L1表达水平与肿瘤的免疫治疗抵抗性及不良预后密切相关，因此深入了解PD-L1的调节机制可能为癌症治疗提供新策略。
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种Pd@Ag核壳纳米材料及其制备方法
中国科学院国家纳米科学中心 专利 Pd Ag 核壳纳米材料
2023/6/19
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种Pd@Ag核壳纳米材料及其制备方法
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种Pd@Pt核壳纳米材料及其制备方法
中国科学院国家纳米科学中心 专利 Pd Pt 核壳纳米材料
2023/6/15
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种Pd@Pt核壳纳米材料及其制备方法
中国科学院生物物理研究所专利：一种抗帕金森症（PD）复合制剂
中国科学院福建物质结构研究所专利：一种用于CO气相氧化偶联生产草酸酯的Pd/ZnO高效纳米催化剂及其制备方法和应用
中国科学院福建物质结构研究所 专利 CO气相氧化 草酸酯 Pd/ZnO 纳米催化剂
2023/2/21
中国科学院福建物质结构研究所专利：一种用于CO气相氧化偶联生产草酸酯的Pd/ZnO高效纳米催化剂及其制备方法和应用
拓扑绝缘体及其边界态的研究一直备受关注。最近研究人员提出了高阶拓扑绝缘体[1]，比如三维二阶拓扑绝缘体，同时具有有能隙的体态和表面态，但是存在无能隙的一维棱态。二维的二阶拓扑绝缘体(2D SOTI)在能隙中存在相应的角态，Benalcazar等人提出的2D SOTI模型不适合电子材料体系[1]，而且人们很少在过渡金属层状材料中提出高阶拓扑。近年来，A2M1,3Te5(A=Ta, Nb; M=Pd,...