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压强对低频PECVD制备SiNx:H薄膜特性的影响
氮化硅薄膜 压强 钝化 结构特性
2012/4/5
氢化氮化硅薄膜在晶体硅太阳电池工艺中是一种有效的减反射、钝化薄膜．利用Centrotherm公司的直接法低频PECVD设备在抛光后的p型硅衬底(1.0 Ωcm)表面制作氢化氮化硅,得到了具有较好钝化效果且折射率为2.017～2.082的薄膜．随着压强的增加，薄膜的折射率略有增加．利用傅里叶变换红外光谱技术研究了薄膜中成键结构特性随压强的变化．结果表明沉积压强强烈的影响了H键的浓度和Si-N键的浓度...
采用磁控溅射法在镍衬底上制备了不同性质的Fe:NiOx薄膜, 通过改变反应压强, 发现薄膜的催化活性随着压强的增大而提高. 进一步利用EDX、XRD、XPS、SEM等分析发现, 薄膜的有效表面积、结晶度以及样品中Ni3+的含量都对样品的催化活性有影响. 另外对薄膜的透过特性也进行了研究, 发现当膜厚超过1000 nm后, 对波长小于500 nm的可见光几乎全部吸收, 表现出了很差的透光特性.
色谱－质谱联用法测定荧光灯中气体杂质及充气压强
2007/12/14
］实验出一种色质联用法测定荧光灯中气体杂质及充气压强的新方法。使用两根并联色谱柱（柱1：Φ3mmi.d.×0.6m13XM.S.（分子筛60-80目；柱23mmi.d.×1.5mPorapakQ（80-100目），室温下可同时测定灯中H2，O2，N2，CH4，CO，CO2等多种气体杂质分压强。其测定下限分别为4×10-3，3×10-3，6×10-3，6×10-4，10-24×10-3Pa。并研究出...