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搜索结果: 1-4 共查到材料科学基础学科 MoSi2相关记录4条 . 查询时间(0.093 秒)
研究了低成本制备技术反应熔渗方法制备的SiC/MoSi2SiC/Mo (Si, Al)2复合材料高温氧化行为。表面氧化物的形态和氧化增重的研究结果表明,所制备复合材料高温氧化3 h 后即发生钝化现象,继续在500℃再进行低温氧化试验,发现限制该材料使用的“Pest”现象消失。其中渗铝复合材料SiC/Mo (Si, Al)2高温增重较渗硅SiC/MoSi2严重。当后者中形成的 SiC增强相全部为原...
MoSi和聚碳硅烷为原料,采用先驱体转化W22;反应热压制备SiC/MoSi2纳米复合材料,并研究纳米SiC体积分数对材料显微结构和力学性能的影响。结果表明,所制备的纳米复合材料中含有MoSi2SiC和极少量的Mo5Si3及SiO2。纳米SiC的引入显著地改善了材料的力学性能,15%SiC/MoSi2纳米复合材料的综合力学性能最好,其室温抗弯强度和断裂韧性分别为610 MPa和4.90...
MoSi2高温氧化层的微观结构     MoSi2  微观结构  氧化层       2008/9/12
采用SEM, TEM和XRD方法研究了MoSi2在1200-1600℃的氧化层微观结构.在1240℃以下, 氧化层由SiO2和其它氧化物混合而成, 致密度较差. 1240-1520℃区间氧化层表面存在针状、扇状或羽状的低温石英, 氧化层较薄. 在1520℃以上, 氧化层中含有块状、粒状或蜂巢状的方石英, 氧化层致密而均匀, 增强了材料的抗氧化性能.
根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物MoSi2的价电子结构和理论结合能。结果表明,MoSi2理论结合能为1 677.1 kJ/mol,与实验值吻合。由于Si原子偏移,沿〈001〉方向分布的SiSi原子键共价电子数最多,nD=0.402 04。MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使MoSi2具有良好的导电性。MoSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主...

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