搜索结果: 1-8 共查到“光学仪器及技术 M-Al”相关记录8条 . 查询时间(0.093 秒)
水泥中铝和铁含量是对水泥进行分类和质量监督的一个重要依据。通过采用激光诱导击穿光谱技术对水泥样品中的Al和Fe含量进行了定量分析。从光谱强度以及特征谱线信噪比出发,确定单脉冲能量为30 mJ光谱积分延迟时间为1 μs为最佳实验参数并以此为基础采用内标法去定量分析水泥样品中的Al和Fe。通过内标法建立的Al和Fe元素的定量分析曲线的线性度分别达到了0.998和0.997,同时通过循环反演的方式去检测...
空间相机反射镜SiC/Al支撑板轻量化结构优化设计
空间相机 反射镜支撑板 轻量化 有限元分析
2016/8/24
在保证空间光学遥感相机反射镜组件结构刚度、位置精度、面形精度的同时，最大限度地降低反射镜支撑板的质量，是轻量化设计的一个重要内容。提出了通过拓扑优化确定反射镜用SiC/Al 材料的背部支撑板轻量化形式的方案。采用有限元分析法对获得的优化结果进行分析。分析结果表明： 重力载荷下面形精度达到λ/10 PV，λ/50 RMS（λ=632.8 nm），PV 值13.3 nm，RMS 值2.9 nm，反射镜...
借助Raman，IR和XRD等技术探讨了Si—Al—Zr—O系非晶在原位受控晶化过程中微结构变化。结果表明，Si—Al—Zr—O系非晶在920 ℃左右出现网络结构重整，形成了富Si区和富Zr和Al区。在920～950 ℃间，从富Zr区析出初晶相四方氧化锆，并从富Al区形成Al—Si尖晶石相。随着温度进一步升高，Al—Si尖晶石衍射峰先增强随后消失，同时在1 200～1 100, 1 000～700...
水热合成ZnS∶Cu, Al纳米晶体及其全色发射光谱特性
ZnS∶Cu, Al 纳米晶 水热法 白光粉
2011/4/28
报道了水热法(200 ℃)直接合成的ZnS∶Cu,Al纳米晶及其发光特性。ZnS∶Cu,Al纳米晶粒径约15 nm，尺寸分布窄，分散性好，具有纯立方相的类球形结构。借助X射线能谱法(EDX)和原子吸收光谱仪，研究了样品中S, Zn和Cu的含量并详细研究了光致发光(PL)光谱的特性。结果证明存在大量Zn空缺，Cu离子经过水热处理后已掺入到ZnS基体中。PL光谱特性为：样品的激发谱为宽带谱，337 n...
30.4 nm Cr/Al/Cr自支撑滤光片的研制
滤光膜 质量吸收系数 自支撑
2009/8/25
依据材料的质量吸收系数和波长的关系，选择Cr和Al 设计和制备30.4 nm自支撑滤光片。在制备时以NaCl为脱膜剂，以热蒸发方式蒸镀Al，以电子束蒸发方式蒸镀Cr, 制备了30.4 nm的Cr/Al/Cr自支撑滤光膜，并对滤光片的表面缺陷进行了分析。通过显微镜观察，滤光膜均匀纯净，无明显针孔。Cr/Al/Cr自支撑滤光片在合肥国家同步辐射实验室进行了测量, Cr/Al/Cr厚度为5 nm/500...
Al和MgF2多层滤光膜光谱及其环境稳定性
多层膜 热处理 环境稳定性 峰值透射率
2009/8/25
采用真空热蒸发和电子束蒸发方法，制备了Al和MgF2 多层滤光膜，并在100，150，200, 300 ℃的真空环境中进行了热处理，考察了真空热处理温度对多层滤光膜光谱、形貌和环境稳定特性的影响。结果表明，经过真空热处理后，滤光膜表面粗糙度降低，峰值透射率升高，半宽度增大。随着在实验室干燥环境中放置时间的增加，未热处理以及300 ℃热处理样品的透射率峰位向长波方向有较大的移动，峰值透射率降低，可见...
热处理温度对ZnO∶Al薄膜性能的影响
溶胶-凝胶法 ZnO∶Al薄膜 热处理
2009/8/13
利用溶胶-凝胶技术在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al薄膜，表征了薄膜的结构、光透过和光致发光特性，探讨了热处理温度对薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表明，在热分解温度400 ℃和退火温度600 ℃时，ZnO∶Al薄膜的C轴择优取向明显，透过率较高.在热处理温度400 ℃情况下，激发波长340 nm的光致发光谱中有三个发光中心，紫外发光强度随退火温度的升高先升高后下降，500 ℃时发光强度最强.其它两...
One-Dimensional Photonic Bandgap Microcavities for Strong Optical Confinement in GaAs and GaAs/Al O Semiconductor Waveguides
Gallium alloys nanotechnology optical waveguide fi lters
2015/8/12
Photonic bandgap (PBG) waveguide microcavities with tightly confined resonant optical modes have been designed,fabricated using high-dielectric-contrast GaAs/AlxOy III–V compound semiconductor s...