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利用CMOS工艺微控制器的实验测试系统，在“强光一号”加速器上进行了瞬时剂量率效应实验。实验研究采用的γ脉冲宽度为20 ns，剂量率（以Si原子计）为6.7×106～2.0×108 Gy/s。在不同的剂量率水平下观察到了扰动和闭锁效应，获得了微控制器的闭锁阈值，分析了扰动时间、系统功耗电流与剂量率间的关系。瞬时电离辐射在CMOS工艺电路的PN结中产生光电流，导致了电学和功能参数的退化。
54HC系列CMOS器件脉冲与稳态γ总剂量效应异同性研究
54HC CMOS 脉冲总剂量损伤 效应损伤因子
2011/8/22
针对现有脉冲辐射模拟装置在模拟真实环境方面累积剂量偏小的特点，开展了54HC系列CMOS器件脉冲γ与60Co γ总剂量效应损伤异同性研究，获取器件效应损伤因子，以期通过对稳态辐射环境下电路总剂量损伤阈值的测量预估脉冲高剂量率环境下的总剂量损伤阈值。研究结果表明，无论选择哪种敏感参数进行效应损伤异同性研究，稳态辐照造成的总剂量损伤总是高于脉冲辐照，即稳态总剂量引起的器件阈值电压漂移、静态功耗电流增加...
CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究
CMOS电路 辐照效应 闩锁阈值 翻转阈值
2009/8/25
在“强光一号”加速器上，对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验，测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律，得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系，分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明：CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低，在20 ns的脉冲宽度辐照下，CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150 ns脉冲辐照...
CMOS器件辐照后热退火过程中激发能分布的确定
等时退火 等温退火 激发能
2009/1/19
对CNMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行讨论，给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100oC等温和25～250℃等时退火过程中激发能的分布。结果表明：25、100℃等温退火激发能范围分别在0.65～0.76eV和0.75～0.95eV之间；25～250℃等时退火的激发能范围在0.5～1.1eV之间，峰值位于0.8...
CMOS器件总剂量辐射响应理论模拟
辐射响应 退火 剂量率
2008/12/29
利用线性响应理论模型模拟C4007B、CC4007RH和CC4011器件受不同γ射线剂量率辐射时的总剂量效应。研究结果表明，辐射响应与吸收剂量成线性关系时，在实验室选用任一特定剂量率进行总剂量辐射和辐照后室温退火，可以通过线性响应理论模拟其它剂量率辐射下的总剂量效应。理论模拟结果与实际不同剂量率辐射实验结果符合得很好。