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对ZnO:Ga晶体进行质子辐照实验研究,得到对脉冲质子的响应波形和发光强度随质子能量的变化关系,并对实验现象和结果进行了分析。结果表明,该晶体对质子束具有很好的响应特性,与快速光电探测器相结合,可作为反冲质子探测元件,用于脉冲中子探测。
利用符合法原理,建立了ZnO:Ga晶体对单重带电粒子响应的标定方法,得到了该晶体对单α粒子的响应曲线,并对此进行了分析,根据等离子体时间的相对关系得到其对质子的时间响应范围。结果表明,ZnO:Ga晶体对α粒子响应的上升时间为324ps、半高宽为686ps,该晶体对重带电粒子具有非常好的响应特性,为伴随α粒子监测和发展新的辐射探测方法提供了新的选择。

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