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搜索结果:
1-2
共查到
“
核科学技术 SOI
”
相关记录2条 . 查询时间(0.046 秒)
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种基于
SOI
结构的电离总剂量探测系统及方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
SOI结构
电离总剂量
探测系统
2024/1/8
本发明涉及辐射环境探测技术领域,涉及一种基于
SOI
结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块;所述控制模块输入端与PC机相连,控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连;所述恒流源模块与探头模块相连;所述数据采集模块的输入端与探头模块相连,数据采集模块的输出端与PC机相连;所述探头模块包括
SOI
结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂...
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国产工艺的部分耗尽
SOI
PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究
总剂量辐照效应
退火
亚阈曲线
2011/8/22
对国产工艺的部分耗尽
SOI
PMOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感;辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用,导致了正栅源漏饱和电流的显著降低;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电...
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