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We propose a simple model, derived from Pao-Sah theory, valid in all modes from weak to strong inversion, to calculate the drain current in Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET). ...
用表面纹理化的热模型,分析了固体表面的熔化和重固化的物理过程,计算了在纹理化过程中的表面温度,穿透深度,熔化深度,相面移动速度等物理量,提出了Rayleight-Taylor不稳定性形成周期化结构的机理。

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