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2016年9月9日至10日,SOI产业国际盛会——“2016上海FD-SOI高峰论坛”和“2016国际RF-SOI研讨会”在上海瑞金洲际酒店隆重召开。来自国际顶级半导体公司、科研院所、投资机构和政府部门的近300位业内精英齐聚上海,展示一年来SOI领域的技术创新和重大突破,研讨FD-SOI和RF-SOI在全球物联网、5G连接、汽车电子、人工智能等领域的重要产品应用,展望了SOI技术在集成电路特征尺...
研制成功了用于地球遥感卫星的有效沟道长度为0.8μm的600门CMOS/SOI门阵列专用集成电路,各项性能指标满足用户提出的要求,现在正在进行辐照加固实验研究。研制出了沟道长度为0.8μm的51级CMOS/SOI环形振荡器,其单级门延迟时间仅为83ps,是国内最高水平。还开发了可以模拟沟道长度在0.15μm的深亚微米SOI器件电路模拟软件,与科研组自行研制的有效沟道长度为0.15μm凹陷沟道薄膜全...

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